2月2日，截至收盤(pán)，滬指跌2.48%，報(bào)收4015.75點(diǎn)；深成指跌2.69%，報(bào)收14128.87點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指跌2.46%，報(bào)收3264.11點(diǎn)?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跌5.49%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）跌5.02%。

隔夜外盤(pán)：截至收盤(pán)，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)漲1.05%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)漲0.56%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)漲0.54%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲1.70%，恩智浦半導(dǎo)體漲2.18%，美光科技漲5.51%，ARM漲1.49%，應(yīng)用材料漲1.89%，微芯科技漲2.85%。

行業(yè)資訊：

1、高盛表示，盡管現(xiàn)貨市場(chǎng)出現(xiàn)波動(dòng)，但DRAM的合約價(jià)格不僅未跌，反而迎來(lái)了更猛烈的上漲預(yù)期。另有機(jī)構(gòu)指出，Q1全球存儲(chǔ)供需失衡加劇，全面上調(diào)DRAM、NAND產(chǎn)品Q(chēng)1環(huán)比增幅。

2、臺(tái)積電的2nm產(chǎn)能已被全球科技巨頭的訂單全部預(yù)訂完畢。其中，AMD計(jì)劃于2026年開(kāi)始生產(chǎn)基于2nm工藝的CPU，而谷歌和AWS據(jù)稱(chēng)分別計(jì)劃于2027年第三季度和第四季度采用該工藝。此外，英偉達(dá)計(jì)劃于2028年推出其“Feynman AI”GPU，預(yù)計(jì)將采用臺(tái)積電的A16工藝，該工藝采用背面供電設(shè)計(jì)。

3、普冉股份近期接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，NOR Flash整體產(chǎn)能聯(lián)動(dòng)，大容量產(chǎn)品單顆價(jià)值高，對(duì)產(chǎn)能的消耗量大，疊加供應(yīng)緊缺和需求刺激的雙重影響，大容量產(chǎn)品本輪較早出現(xiàn)漲價(jià)，并逐漸傳導(dǎo)到中小容量產(chǎn)品。公司NOR Flash目前維持價(jià)格整體溫和上漲的節(jié)奏。公司部分存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品價(jià)格有合理范圍上調(diào)，公司后續(xù)會(huì)綜合考慮市場(chǎng)供應(yīng)和生產(chǎn)成本等因素進(jìn)行產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整，目前不同區(qū)域和不同客戶(hù)調(diào)價(jià)情況有所不同。

財(cái)通證券指出，在人工智能算力需求快速增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，全球晶圓代工行業(yè)持續(xù)景氣。2025 年第四季度，臺(tái)積電營(yíng)收達(dá) 1.05 萬(wàn)億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng) 20.45%，創(chuàng)下單季歷史新高；全年?duì)I收也實(shí)現(xiàn) 31.60%的顯著增長(zhǎng)，達(dá)到 3.81 萬(wàn)億新臺(tái)幣。與臺(tái)積電相比，中國(guó)大陸晶圓代工企業(yè)在整體收入規(guī)模上仍有較大追趕空間。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示， 科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：024417；C類(lèi)：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導(dǎo)體設(shè)備（60%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求，擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356；C類(lèi)：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（63%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。