截至午間收盤，中證芯片產(chǎn)業(yè)指數(shù)上漲1.0%，上證科創(chuàng)板芯片指數(shù)上漲1.0%，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)主題指數(shù)上漲0.5%，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲3.3%。

對(duì)于2026~2027年半導(dǎo)體設(shè)備支出展望，機(jī)構(gòu)認(rèn)為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備整體資本開支仍會(huì)維持高位，整體處在景氣擴(kuò)張區(qū)間。核心驅(qū)動(dòng)主要來(lái)自兩大主線：一是下游新興應(yīng)用需求爆發(fā)，AI算力芯片、HBM及先進(jìn)存儲(chǔ)等領(lǐng)域產(chǎn)能擴(kuò)建需求旺盛；二是國(guó)產(chǎn)化替代加速推進(jìn)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備的驗(yàn)證廣度和導(dǎo)入深度均顯著加快。