截至2026年2月13日 10點22分，上證科創(chuàng)板半導體材料設(shè)備主題指數(shù)強勢上漲2.45%，成分股富創(chuàng)精密上漲14.61%，華興源創(chuàng)上漲5.58%，耐科裝備上漲5.28%，芯源微，龍圖光罩等個股跟漲。科創(chuàng)半導體ETF（588170）上漲2.44%，最新價報1.8元。

截至2026年2月13日 10點24分，中證半導體材料設(shè)備主題指數(shù)強勢上漲2.54%，成分股富創(chuàng)精密上漲15.05%，京儀裝備上漲5.72%，芯源微上漲5.28%，珂瑪科技，華海誠科等個股跟漲。半導體設(shè)備ETF華夏（562590）上漲2.41%，最新價報1.95元。

流動性方面，科創(chuàng)半導體ETF盤中換手4.94%，成交4.09億元；半導體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.99%，成交1.10億元。規(guī)模方面，科創(chuàng)半導體ETF近1周規(guī)模增長2.12億元，實現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達26.98億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導體ETF近3天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.17億元凈流入，合計“吸金”1.49億元，日均凈流入達4967.31萬元；半導體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出2095.52萬元。拉長時間看，近23個交易日內(nèi)有15日資金凈流入，合計“吸金”9.44億元，日均凈流入達4105.16萬元。

消息面上，日本存儲巨頭鎧俠截至2025年12月31日的三個月內(nèi)，公司收入為5436億日元，較上一季度增長953億日元，主要得益于平均銷售價格（ASP）和比特出貨量（bit shipment）的增加，以及匯率的影響。固態(tài)硬盤（SSD）和存儲業(yè)務(wù)收入為3004億日元，較上一季度增長558億日元；智能設(shè)備業(yè)務(wù)收入為1863億日元，較上一季度增長290億日元。該季度營業(yè)利潤為1428億日元，較上一季度增長568億日元，主要得益于前文所述的收入增長。稅前利潤為1217億日元，較上一季度增長650億日元。該季度歸屬于母公司所有者的利潤為878億日元，較上一季度增長471億日元。鎧俠預(yù)計全年（截至2026年3月31日的12個月）營業(yè)利潤為7095.7億日元至7995.7億日元，市場預(yù)期為5254.7億日元；第三財季凈利潤為878.1億日元，市場預(yù)期為1004.1億日元。

銀河證券指出，1月存儲市場延續(xù)2025年四季度以來的強勢上漲態(tài)勢，DRAM和NAND閃存價格漲幅持續(xù)超預(yù)期。三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價大幅上調(diào)，其中NAND閃存供應(yīng)價格上調(diào)超100%，DRAM價格漲幅達60%-70%。漲價核心驅(qū)動因素包括：AI服務(wù)器對HBM需求爆發(fā)、數(shù)據(jù)中心資本開支加碼、產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整等，供需缺口持續(xù)擴大，預(yù)計本輪漲價周期將延續(xù)至2026年中。

相關(guān)ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導體設(shè)備（60%）和半導體材料（25%）細分領(lǐng)域的硬科技公司。 半導體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術(shù)進展。

半導體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導體設(shè)備（63%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。