開(kāi)年以來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）一路強(qiáng)勢(shì)、當(dāng)紅不讓。今日，在臺(tái)積電財(cái)報(bào)利好刺激下，半導(dǎo)體設(shè)備ETF開(kāi)盤(pán)再度走強(qiáng)、盤(pán)中價(jià)格再創(chuàng)新高。

資金熱度不減，資金盤(pán)中流入超2億份，過(guò)去20個(gè)交易日半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）凈流入超50億元，截止2026/1/15規(guī)模已經(jīng)突破150億元，位居同類(lèi)ETF第一。

開(kāi)年以來(lái)，半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）為何如此強(qiáng)勢(shì)？背后其實(shí)有兩大原因。第一是先進(jìn)制程的擴(kuò)產(chǎn)。什么是先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)？目前我們雖然還無(wú)法直接量產(chǎn)7納米、5納米芯片，但可以通過(guò)芯片堆疊等技術(shù)，以n+1、n+2等方式實(shí)現(xiàn)14納米，或是等效7納米、等效5納米的芯片生產(chǎn)，只不過(guò)良率相對(duì)較低。所以，先進(jìn)制程芯片對(duì)我們而言依然比較重要，核心原因就在于其精度更高。

第二個(gè)原因是存儲(chǔ)漲價(jià)。存儲(chǔ)漲價(jià)會(huì)帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）上漲，這背后其實(shí)有一套清晰的邏輯：因?yàn)榇鎯?chǔ)價(jià)格上漲后，廠商會(huì)加大擴(kuò)產(chǎn)力度；而要生產(chǎn)出高性能的存儲(chǔ)芯片，離不開(kāi)兩種關(guān)鍵設(shè)備——刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備，這兩種設(shè)備直接決定了存儲(chǔ)芯片的性能。再加上近期部分存儲(chǔ)相關(guān)企業(yè)有上市預(yù)期，這些因素共同推動(dòng)了半導(dǎo)體設(shè)備ETF（159516）的上漲。

此次臺(tái)積電業(yè)績(jī)超預(yù)期，再次點(diǎn)燃AI熱情。從全球算力產(chǎn)業(yè)鏈看，臺(tái)積電依然是AI景氣度的錨點(diǎn)。目前英偉達(dá)、博通等海外大廠的計(jì)算芯片依然是靠臺(tái)積電完成制造和封測(cè)，cowos產(chǎn)能雖然持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，但是目前依然處在緊缺狀態(tài)。因此，在手機(jī)等傳統(tǒng)下游增長(zhǎng)有限的前提之下，臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏超出預(yù)期本身就意味著北美AI未來(lái)需求的增長(zhǎng)。隨著全球存儲(chǔ)行業(yè)都有望進(jìn)入了擴(kuò)產(chǎn)周期，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)行業(yè)也吃到了這次存儲(chǔ)漲價(jià)的紅利。

中信證券研報(bào)表示，臺(tái)積電2025年業(yè)績(jī)創(chuàng)紀(jì)錄，2026年資本支出大幅上調(diào)，表明了AI 算力與先進(jìn)制程帶來(lái)的持續(xù)紅利。面對(duì)國(guó)內(nèi)百萬(wàn)片級(jí)的先進(jìn)產(chǎn)能缺口，國(guó)內(nèi)晶圓廠正迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)熱潮，為設(shè)備市場(chǎng)釋放出千億美元的空間，且國(guó)產(chǎn)化率有望實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)?；谙冗M(jìn)制程與國(guó)產(chǎn)替代的雙輪驅(qū)動(dòng)，看好半導(dǎo)體設(shè)備的投資機(jī)遇，可關(guān)注具備平臺(tái)化能力的領(lǐng)軍企業(yè)及高彈性細(xì)分龍頭。

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